量子點(diǎn)新突破:實(shí)現(xiàn)高分辨率沉積及圖形化
發(fā)布時(shí)間:2025-11-25 14:59:18 作者:玩站小弟
我要評(píng)論
導(dǎo)讀:自20世紀(jì)80年代科學(xué)家提出“量子點(diǎn)”(Quantum Dot,QD)概念以來,量子點(diǎn)作為一種零維發(fā)光半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu),因其量子限制效應(yīng)表現(xiàn)出窄帶光致發(fā)光特性吸引了大批研究者的興趣。研究者稱量子
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導(dǎo)讀:自20世紀(jì)80年代科學(xué)家提出“量子點(diǎn)”(Quantum Dot,量點(diǎn)率沉QD)概念以來,新突現(xiàn)高量子點(diǎn)作為一種零維發(fā)光半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu),破實(shí)無錫外圍模特預(yù)約(外圍經(jīng)紀(jì)人)外圍女(電話微信181-8279-1445)提供頂級(jí)外圍女上門,可滿足你的一切要求因其量子限制效應(yīng)表現(xiàn)出窄帶光致發(fā)光特性吸引了大批研究者的分辨興趣。研究者稱量子點(diǎn)材料有望用于光電器件領(lǐng)域如太陽能電池、積及晶體管以及發(fā)光器件等。圖形
然而,量點(diǎn)率沉至今量子點(diǎn)技術(shù)依然沒有實(shí)現(xiàn)廣泛的新突現(xiàn)高商業(yè)化應(yīng)用。其中,破實(shí)無錫外圍模特預(yù)約(外圍經(jīng)紀(jì)人)外圍女(電話微信181-8279-1445)提供頂級(jí)外圍女上門,可滿足你的一切要求最大的分辨瓶頸在于無法實(shí)現(xiàn)基底上大范圍、高分辨率的積及量子點(diǎn)沉積及圖形化。
近日,圖形來自韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)的量點(diǎn)率沉Joon-Suh Park等研究者提出利用傳統(tǒng)光刻(Photolithography)技術(shù)結(jié)合靜電輔助層層組裝(LbL)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了多色、新突現(xiàn)高高分辨率、破實(shí)大范圍的量子點(diǎn)沉積和圖形化技術(shù),突破了當(dāng)前量子點(diǎn)技術(shù)實(shí)用化瓶頸。
該研究結(jié)果發(fā)表于10月11日《Nano Letter》雜志。
4英寸石英晶片上利用量子點(diǎn)沉積重現(xiàn)1967年安迪·沃霍爾(Andy Warhol)創(chuàng)作的“瑪麗蓮·夢(mèng)露(Marilyn Monroe)”藝術(shù)畫。圖片來源:Park et al.?2016 American Chemical Society
雖然目前已有多種量子點(diǎn)沉積及圖形化技術(shù),然而由于量子點(diǎn)特殊的性質(zhì),如高分子量,使得蒸發(fā)沉積技術(shù)難以實(shí)行。并且,這些方法只能在高分辨率與大范圍沉積之間選擇折中處理。
新型多色、高分辨率、大范圍量子點(diǎn)圖形化技術(shù)。(a)量子點(diǎn)圖像化技術(shù):光刻技術(shù)與靜電輔助層層組裝技術(shù)。(b)405nm激光激發(fā)下的多色量子點(diǎn)圖形化。(c)紫外燈激發(fā)下的4英寸晶片上“瑪麗蓮·夢(mèng)露”。圖片來源:DOI:10.1021/acs.nanolett.6b03007
光刻技術(shù)(Photolithography)是一種高分辨率、批量化的圖形化技術(shù)。然而,由于量子點(diǎn)疏水涂層的特性,傳統(tǒng)光刻技術(shù)中使用的有機(jī)化學(xué)試劑有可能會(huì)毀壞并溶解量子點(diǎn)。
如何既能利用傳統(tǒng)光刻技術(shù),又能不損壞量子點(diǎn)本身呢?Park團(tuán)隊(duì)對(duì)量子點(diǎn)涂層進(jìn)行親水性修飾,如此一來,光刻過程中量子點(diǎn)將不會(huì)遭受有機(jī)溶劑中溶解。
此外,研究者還采用帶電基底,利用量子點(diǎn)與帶電基底之間的靜電引力輔助量子點(diǎn)的層層組裝(LbL)過程,實(shí)現(xiàn)多色、大范圍量子點(diǎn)沉積。
研究者正是將光刻技術(shù)與層層組裝技術(shù)結(jié)合起來,不斷重復(fù)進(jìn)行光刻和組裝過程,實(shí)現(xiàn)多色、高分辨率以及大范圍均勻的量子點(diǎn)沉積。
Park稱:“我們提出的新型量子點(diǎn)圖形化技術(shù)能與傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造過程相兼容,有望解決業(yè)界的難題。相對(duì)于有機(jī)材料,量子點(diǎn)在暴露于外界水氧環(huán)境時(shí)具有更加穩(wěn)定和可靠的特性,其應(yīng)用相應(yīng)也會(huì)比有機(jī)材料當(dāng)前的應(yīng)用更廣泛,比如顯示器、光電探測(cè)器、光電晶體管以及太陽能電池等等?!?br>
為了驗(yàn)證該新型量子點(diǎn)沉積技術(shù)的實(shí)用化潛力,研究者利用紅、綠、紫、黃四種顏色的量子點(diǎn),在4英寸石英晶片上用量子點(diǎn)沉積圖形化重現(xiàn)了藝術(shù)家安迪·沃霍爾(Andy Warhol)1967年創(chuàng)作的瑪麗蓮·夢(mèng)露(Marilyn Monroe)藝術(shù)畫。
多彩、高分辨的“瑪麗蓮·夢(mèng)露”證明了該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)多色、高精度、大范圍光電顯示效果。
未來,研究者計(jì)劃繼續(xù)開發(fā)新的量子點(diǎn)圖形化技術(shù)進(jìn)一步改善量子點(diǎn)光電顯示效果。
Park 稱:“利用這種方法,能夠優(yōu)化量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QD-LED)結(jié)構(gòu),減小QD-LED的尺寸,并且獲得更高的能量效率以及更高分辨率的顯示效果,最終會(huì)開發(fā)出一片式、多波長(zhǎng)激發(fā)的光電探測(cè)器?!?br>
然而,量點(diǎn)率沉至今量子點(diǎn)技術(shù)依然沒有實(shí)現(xiàn)廣泛的新突現(xiàn)高商業(yè)化應(yīng)用。其中,破實(shí)無錫外圍模特預(yù)約(外圍經(jīng)紀(jì)人)外圍女(電話微信181-8279-1445)提供頂級(jí)外圍女上門,可滿足你的一切要求最大的分辨瓶頸在于無法實(shí)現(xiàn)基底上大范圍、高分辨率的積及量子點(diǎn)沉積及圖形化。
近日,圖形來自韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)的量點(diǎn)率沉Joon-Suh Park等研究者提出利用傳統(tǒng)光刻(Photolithography)技術(shù)結(jié)合靜電輔助層層組裝(LbL)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了多色、新突現(xiàn)高高分辨率、破實(shí)大范圍的量子點(diǎn)沉積和圖形化技術(shù),突破了當(dāng)前量子點(diǎn)技術(shù)實(shí)用化瓶頸。
該研究結(jié)果發(fā)表于10月11日《Nano Letter》雜志。
4英寸石英晶片上利用量子點(diǎn)沉積重現(xiàn)1967年安迪·沃霍爾(Andy Warhol)創(chuàng)作的“瑪麗蓮·夢(mèng)露(Marilyn Monroe)”藝術(shù)畫。圖片來源:Park et al.?2016 American Chemical Society
雖然目前已有多種量子點(diǎn)沉積及圖形化技術(shù),然而由于量子點(diǎn)特殊的性質(zhì),如高分子量,使得蒸發(fā)沉積技術(shù)難以實(shí)行。并且,這些方法只能在高分辨率與大范圍沉積之間選擇折中處理。
新型多色、高分辨率、大范圍量子點(diǎn)圖形化技術(shù)。(a)量子點(diǎn)圖像化技術(shù):光刻技術(shù)與靜電輔助層層組裝技術(shù)。(b)405nm激光激發(fā)下的多色量子點(diǎn)圖形化。(c)紫外燈激發(fā)下的4英寸晶片上“瑪麗蓮·夢(mèng)露”。圖片來源:DOI:10.1021/acs.nanolett.6b03007
光刻技術(shù)(Photolithography)是一種高分辨率、批量化的圖形化技術(shù)。然而,由于量子點(diǎn)疏水涂層的特性,傳統(tǒng)光刻技術(shù)中使用的有機(jī)化學(xué)試劑有可能會(huì)毀壞并溶解量子點(diǎn)。
如何既能利用傳統(tǒng)光刻技術(shù),又能不損壞量子點(diǎn)本身呢?Park團(tuán)隊(duì)對(duì)量子點(diǎn)涂層進(jìn)行親水性修飾,如此一來,光刻過程中量子點(diǎn)將不會(huì)遭受有機(jī)溶劑中溶解。
此外,研究者還采用帶電基底,利用量子點(diǎn)與帶電基底之間的靜電引力輔助量子點(diǎn)的層層組裝(LbL)過程,實(shí)現(xiàn)多色、大范圍量子點(diǎn)沉積。
研究者正是將光刻技術(shù)與層層組裝技術(shù)結(jié)合起來,不斷重復(fù)進(jìn)行光刻和組裝過程,實(shí)現(xiàn)多色、高分辨率以及大范圍均勻的量子點(diǎn)沉積。
Park稱:“我們提出的新型量子點(diǎn)圖形化技術(shù)能與傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造過程相兼容,有望解決業(yè)界的難題。相對(duì)于有機(jī)材料,量子點(diǎn)在暴露于外界水氧環(huán)境時(shí)具有更加穩(wěn)定和可靠的特性,其應(yīng)用相應(yīng)也會(huì)比有機(jī)材料當(dāng)前的應(yīng)用更廣泛,比如顯示器、光電探測(cè)器、光電晶體管以及太陽能電池等等?!?br>
為了驗(yàn)證該新型量子點(diǎn)沉積技術(shù)的實(shí)用化潛力,研究者利用紅、綠、紫、黃四種顏色的量子點(diǎn),在4英寸石英晶片上用量子點(diǎn)沉積圖形化重現(xiàn)了藝術(shù)家安迪·沃霍爾(Andy Warhol)1967年創(chuàng)作的瑪麗蓮·夢(mèng)露(Marilyn Monroe)藝術(shù)畫。
多彩、高分辨的“瑪麗蓮·夢(mèng)露”證明了該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)多色、高精度、大范圍光電顯示效果。
未來,研究者計(jì)劃繼續(xù)開發(fā)新的量子點(diǎn)圖形化技術(shù)進(jìn)一步改善量子點(diǎn)光電顯示效果。
Park 稱:“利用這種方法,能夠優(yōu)化量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QD-LED)結(jié)構(gòu),減小QD-LED的尺寸,并且獲得更高的能量效率以及更高分辨率的顯示效果,最終會(huì)開發(fā)出一片式、多波長(zhǎng)激發(fā)的光電探測(cè)器?!?br>
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