正在減州圣何塞停止的單卡代H帶寬年度存儲足藝大年夜會上，三星表露了下一代HBM3E的沉松環境，比擬現有HBM3正在容量、星頒E下V型《192-1819-1410》上海長寧區外圍女服務提供外圍女小姐上門服務快速安排人到付款頻次、布收表下帶寬圓里皆有了巨大年夜的內存晉降。

三星HBM3E內存采與基于EUV極紫中光刻工藝的單卡代H帶寬第四代10nm級工藝制制，切當天講是沉松14nm。

單Die容量可達24Gb，布收表下V型《192-1819-1410》上海長寧區外圍女服務提供外圍女小姐上門服務快速安排人到付款8顆堆疊便是內存24GB，12顆堆疊便是單卡代H帶寬36GB，比擬HBM3刪減了一半。沉松

等效頻次可達9.8GHz，星頒E下一樣晉降一半，布收表下搶先SK海力士的內存9GHz、好光的9.2GHz，單顆芯片的帶寬能夠做到1-1.1225TB/s。

對NVIDIA H100如許的計算卡，六顆HBM3E能夠構成單卡216GB的海量內存，總帶寬下達7.35TB/s。

能效圓里，三星傳播飽吹能夠晉降10％，但明隱會被25％的頻次晉降所抵消掉降。

考慮到三星圓才量產HBM3，新一代的HBM3E將正在去歲的某個時候量產，而出貨能夠要到去歲底了。

正果為如此，NVIDIA下一代計算卡B100將獨家利用SK海力士的HBM3E，三星起碼第一批趕沒有上了。

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