三星3nm制程有可能先于臺積電投產，力圖彎道超車

2025-11-24 23:08:31 分類：娛樂 閱讀(3)

　　據臺媒《經濟日報》5 月 2 日轉引外媒披露，星n先于三星在對投資人釋出的程有產力車最新簡報中透露，旗下 3nm 制程將在未來幾周內開始投產，臺積圖彎天津外圍（外圍美女）外圍上門（微信180-4582-8235）真實上門外圍上門外圍女快速安排30分鐘到達進度比臺積電更快，電投道超力圖彎道超車，星n先于正式引爆今年臺積電與三星最先進的程有產力車制程競爭激戰。

　　臺積電向來不對競爭對手置評。臺積圖彎臺積電先前于法說會上指出，電投道超采用 FinFET 架構的星n先于天津外圍（外圍美女）外圍上門（微信180-4582-8235）真實上門外圍上門外圍女快速安排30分鐘到達 3nm 依原規畫在下半年量產，將是程有產力車“下個大成長節點”。



　　業界人士分析，臺積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產倒數計時，電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析，程有產力車三星的臺積圖彎 3nm 與應與臺積電 5nm 家族的 4nm，以及英特爾的 Intel 4 制程相當。

　　據臺媒《經濟日報》分析，三星以“3nm”為最新制程進度命名，表面上贏了面子，但在晶體管密度、效能等都還是落后臺積電，“實際上還是輸了里子”。

　　TechSpot 等外媒報導，三星向投資人簡報表示，正全力準備讓 GAA 架構的 3nm 制程在今年上半年進入投產階段，也就是在未來八周內啟動量產程序，意味 3nm 量產倒數計時。

　　三星表示，相較于目前旗下 7nm FinFET 架構制程，新的 3nm 制程所生產的芯片，可以在 0.75 伏特以下的低電壓環境工作，使整體耗電量降低 50%，效能提升 30%，芯片體積減少 45%。

　　分析師指出，三星的 3nm 制程所能達到的晶體管密度，最終可能與英特爾的制程 4 或者臺積電的 nm 米家族當中的 4nm 相當，但是頻寬與漏電控制表現會更好，帶來更優異的效能。

　　但目前無法得知的最大變量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發展的 4nm 制程就因良率太低，導致主要客戶大幅轉單臺積電。業界傳出，目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭，但未獲三星證實。

　　另一方面，三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下，臺積電總裁魏哲家先前已于法說會上透露，旗下 3nm 應用有諸多客戶參與，預計首年相較 5nm 與 7nm，會有更多新的產品設計定案。

　　業界認為，蘋果、AMD、英偉達、高通、英特爾、聯發科等大廠，都會是臺積電 3nm 量產初期的主要客戶，應用范圍涵蓋高速運算、智慧手機等領域。臺積電強調，3nm 今年下半年量產之后，在 PPA（效能、功耗及面積）及晶體管技術都將領先，且有良好的良率，有信心 3nm 會持續贏得客戶信賴。

　　另外，臺積電也已著手進行更先進的 2nm 布局，預期 2024 年風險試產，目標 2025 年量產，看好 2nm 將是業界最領先，且是支持客戶成長最適合的技術。